Avec la diffusion des terminaux mobiles et l’accès généralisé à Internet, les besoins en stockage explosent. Les mémoires RRAM vont peut-être aider à résoudre le problème.
Bon an, mal an, les besoins en stockage augmentent d’au moins 50 % par an. Et avec la diffusion des équipements mobiles – tablettes, smartphones et autres terminaux spécialisées -, elle ne devrait pas connaître de répit. Heureusement que de nouvelles technologies apparaissent et permettent de résoudre des problèmes qui paraissaient insurmontables. Cela au niveau du traitement, du transport ou du stockage. Au niveau de traitement, les microprocesseurs multi-cœurs ont permis de contourner les limites de la physique et d’apporter ce surcroit de puissance de calcul indispensable.
Au niveau des réseaux, l’évolution de l’ADSL a permis de reporter à plus tard la nécessité de la fibre optique et de prolonger ainsi la durée de vie des bonnes vieilles lignes de cuivre. L’Arcep vient de rendre un avis favorable permettant l’extension du VDSL2 à l’ensemble des lignes depuis un NRA (Noeud de Raccordement d’Abonnés) sur la boucle locale de cuivre d’Orange. Le VDSL2 est une technologie applicable aux lignes de cuivre et qui permet d’augmenter de façon significative le débit par rapport à l’ADSL. Toutefois, en raison de contraintes physiques inhérentes à ce support, le gain de performance du VDSL2 se limite aux lignes de cuivre dont la longueur n’excède pas 1,5 km. Pour les lignes de longueur supérieure, les performances du VDSL2 sont équivalentes à celles fournies par l’ADSL2+. Comme l’indique le tableau ci-dessous, 14,5% des lignes de cuivre pourraient bénéficier du très haut débit grâce à l’utilisation du VDSL2, soit un gain de 5,8 points grâce à l’ouverture de cette technique sur l’ensemble des lignes de la boucle locale de cuivre d’Orange.
Des mémoires flash au RRAM
Concernant le stockage des données, Il y a d’abord le développement des mémoires flash qui été utilisés pour le stockage externe, puis le stockage de masse et ont investi les data centers pour certaines applications. Mais les besoins progressent toujours aussi vite. Une nouvelle technologie pourrait apporter une solution en permettant de stocker jusqu’à 1 To de données sur une puce plus petite qu’une carte SD et offrant une performance d’écriture 20 supérieure à celle des mémoires flash traditionnelle et une durée de vie 10 fois plus longue. La technologie des mémoires RRAM (Resistive RAM) est connue déjà depuis un moment mais les conditions de fabrication (haute température, haut voltage) la rendaient trop chère pour une production de masse. Des chercheurs de l’université de Rice (Houston, Texas) ont trouvé des moyens de contourner des difficultés. Une fine couche de dioxyde de silicium truffée de petits trous de 5 nm est prise en sandwich entre deux fines couches de métal qui servent d’électrodes.
La startup Crossbar, vient d’annoncer la possibilité de produire de manière expérimentale des composants d’1 Mo dit 1TnR (1 Transistor pilotant n Resistive memory cells). La startup californienne indique avoir signé des accords de licence avec des fabricants de semiconducteurs mais elle ne donne pas de date quant à la production de masse de ce nouveau type de mémoire. Les premières mémoires embarquées utilisant cette technologie (à destination des automobiles ou autres équipements de la vie courante) devraient être fabriquées avant la fin de l’année.
Crossbar a été fondée en 2010 à Santa Clara (en pleine Silicon Valley) par George Minassian aujourd’hui CEO de l’entreprise. Dans son équipe de direction constituée principalement de titulaires de PhD en génie électrique, on peut noter la présence du Français Sylvain Dubois, responsable du marketing et du business developement. Crossbar a levé des fonds auprès des sociétés de capital-risque telles qu’Artimon Ventures, Kleiner Perkins Caufield & Byers et Northern Light Venture Capital.
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