« Will Internet of Thing be the next Big Thing ? » Telle est la question que se posent tous les acteurs de l’Internet aujourd’hui. En tous cas, l’IoT était omniprésent au Mobile World Congress à la fois perçu comme une nouvelle étape dans l’évolution de l’Internet mais aussi comme un relais de croissance du mobile dont la saturation du marché commence à faire ses effets.
« La dernière décennie était celle de l’Internet des humains, la présente décennie va être celle de l’Internet Industriel », expliquait Bill Ruh, CDO de GE lors de la conférence plénière intitulée « Mobile is transforming industries ». De fait, tous les équipements qui nous entourent vont pouvoir, augmentés du capteur ad hoc, se transformer en objet connectés à l’Internet pour rendre un meilleur service ou optimiser son fonctionnement. Un système d’arrosage pourra optimiser son fonctionnement en s’adaptant à la météo et/ou à l’état de la végétation alentour. Même chose pour un système de climatisation qui pourra s’adapter aux changements climatiques. Ceci valant quasiment pour tous les équipements ou objets de la vie courante. Les smart cities dont on parle déjà depuis plusieurs années franchiront une nouvelle étape avec les objets connectés. Ces objets seront pourront être connectés directement à Internet ou via un proxy comme un smartphone avec lequel il pourra communiquer en utilisant un protocole adapté comme le Bluetooth low energy.
Deux types de mémoire vont être nécessaires pour tirer parti de la 5G, sur la smartphone haut de gamme et sur les capteurs qui seront disséminés un peu partout et seront limités, notamment en termes d’alimentation électrique. Du côté des smartphones, la 5G va permettre de visionner des contenus haute définition ou de partager des expériences de jeu en temps réel. Des volumes très élevés de mémoire RAM vont être ainsi nécessaires A court terme, les mémoires flash 2D NAND répondent à ces besoins mais elles atteindront assez rapidement leurs limites. Les 3D NAND permettront de prendre le relais mais l’innovation annoncée en 2015 qui est très prometteuse est la technologie 3D XPoint non volatile. Avec un temps de latence et une durabilité supérieure, cette technologie 3D XPoint (Tegile ou la hiérarchisation des mémoires) offrira les performances nécessaires à de très nombreuses variétés d’applications.
Pour les petites objets que l’on souhaitera connectés, il y a nécessité de mémoires à capacité modeste mais surtout consommant très peu d’électricité. La société Adesto Technologies a annoncé un nouveau type de puce CBRAM baptisée Moneta (conductive bridging RAM) qui offrent une capacité maximale de 256 Kbits (Moneta est déclinée en quatre modèles : 32, 64, 128 et 256 Kbits) mais ne consomme que 10 microwatts en lecture et 7,5 microwatts en écriture, entre 50 et 100 fois moins que les mémoires flash NOR. Lorsqu’elle n’est pas active, elle consomme quasiment rien, seulement 0,05 microwatts. Cette puce pourra être utilisée dans des équipements médicaux, industriels, des systèmes de chauffage de ventilation et de climatisation mais aussi dans des wearables comme les bracelets connectés. Moneta est aux mémoires pour les IoT ce que Sigfox est aux réseaux bas débit pour ces mêmes applications de l’IoT.
Adesto en bref
Créé en 2007, Adesto Technologies s’est spécialisée dans les mémoires basse consommation. En 2015, elle a réalisé un chiffre d’affaires de 43 M$. L’entreprise s’est introduite au Nasdaq depuis octobre 2015 ce qui lui a permis de lever 22 M$. A la fin de 2014, elle annonce plus de 200 millions d’unités livrées à plus de 500 clients.
Ces mémoires ReRAM (Resistive RAM) sont basées sur le concept de Memristor (Memory Resistor) élaboré par l’université de Berkeley dans les années 70. A l’époque du laboratoire de l’université avait postulé, en se basant sur des raisons de symétrie, l’existence d’un tel composant. Il partait de l’idée qu’un tel composant jouerait un rôle similaire par rapport au flux magnétique et à la charge qu’une résistance par rapport à l’intensité électrique et la tension. En pratique, cela signifie que ce nouveau composant aurait une mémoire lui permettant de se rappeler des valeurs du courant après que celui-ci soit passé. Le Memristor s’ajoute donc aux 3 composants passifs : résistance, condensateur et solénoïde. Pour l’heure, les ventes de ce type est encore un marché de l’ordre de 100 M$ selon le cabinet d’études Objective Analysis par an encore microscopique en comparaison du marché des DRAM et des mémoires flash qui représente 30 milliards de dollars par an. Mais il va être amené à se développer parallèlement à l’Internet des objets.
Adesto n’est pas la seule entreprise à travailler sur ces nouvelles technologies. Intel et Micron ont annoncé qu’ils allaient commercialisée une mémoire de type ReRAM baptisée Optane, basée sur la technologie 3D Xpoint, 10 fois plus dense que les mémoires DRAM et 1000 fois plus rapides et durables que les mémoires flash. En 2015, HP et Sandisk avaient annoncé un co-développement d’une mémoire ReRAM pouvant remplacer les mémoires RAM.
Petit rappel sur les trois premiers composants passifs
Les composants passifs ont la capacité à dissiper ou à stocker de l’énergie, mais pas, à l’inverse des composants passifs, d’en générer. Les trois composants passifs sont :
– Résistance (resistor)
Une résistance est un composant électronique ou électrique dont la principale caractéristique est d’opposer une plus ou moins grande résistance (mesurée en ohms) à la circulation du courant électrique.– Condensateur (capacitor)
Un condensateur est un composant électronique ou électrique dont l’intérêt de base est de pouvoir recevoir et rendre une charge électrique, dont la valeur est proportionnelle à la tension. Il se caractérise par sa capacité électrique. Son comportement électrique idéal est donc :
I = C*dU/dt
I est le courant qui traverse le composant ;
U est la tension aux bornes du composant ;
C est la capacité électrique du condensateur.
dU/dt est la variation de tension avec le temps.– Solénoïde (inductor)
Une bobine, self, solénoïde, ou auto-inductance est un un composant courant en électrotechnique et électronique. Une bobine est constituée d’un bobinage ou enroulement d’un fil conducteur éventuellement autour d’un noyau en matériau ferromagnétique. Les physiciens français l’appellent couramment « bobine d’inductance » ou, plus souvent et abusivement, « inductance ». Cependant, le terme inductance désigne normalement la valeur en henry de l’impédance de la bobine. Le terme de bobine peut aussi désigner un dispositif destiné à produire des tensions élevées.
(Source Wikipedia)
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